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RoHS準拠
鉛フリー

IRF7480M

40V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ ME package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IRF7480M
IRF7480M
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    217 A
  • Ptot max
    96 W
  • Qgd
    44 nC
  • QG (typ @10V)
    123 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.2 mΩ
  • RthJC max
    1.3 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET (M)
  • マイクロステンシル
    IRF66ME-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.84
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRF7480MTRPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-8
パッケージ名 DirectFET (M)
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-8
パッケージ名 DirectFET (M)
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.

機能

  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic inductance package
  • 100% lead-free (No ROHS exemption)
  • Applications switching below >100KHz
  • According to JEDEC standard
  • Optimized for broadest availability

利点

  • High power density
  • Low profile design
  • High efficiency
  • Environmentally friendly
  • High performance, low-frequency
  • Industry standard qualification level
  • Wide distribution availability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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