販売終了
RoHS準拠
鉛フリー

IRF7476

12V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ

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IRF7476
IRF7476
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    15 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    11 nC
  • QG (typ @4.5V)
    26 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    8 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    12 V
  • VGS(th)
    1.25 V
  • VGS max
    12 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRF7476TRPBF
製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • Ultra-low gate impedance
  • Very low RDS(on)
  • Fully characterized avalanche voltage and current

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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