アクティブ
RoHS準拠
鉛フリー

IRF6785

200V Single N-Channel IR MOSFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MZ package
データシート
パッケージ
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IRF6785
IRF6785
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    19 A
  • Ptot max
    57 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.8 W
  • Qgd
    6.9 nC
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    100 mΩ
  • RthJC max
    1.4 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET (M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MZ-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.96
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRF6785MTRPBFXTMA1 IRF6785MTRPBF
製品ステータス active discontinued
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-5
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET (M) DirectFET (M)
包装サイズ 4800 4800
包装形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
水分レベル 1 1
モイスチャーパッキン DRY DRY
鉛フリー Yes No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET (M)
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET (M)
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. 

機能

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • High-current rating
  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic (1-2 nH) pkg inductance
  • 100% lead-free (No RoHS exemption)

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • High current carrying capability
  • Optimum thermal performance
  • Compact form factor
  • High efficiency
  • Environmentally friendly

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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