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IRF6623
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

IRF6623

生産終了
20V Single N-Channel Power MOSFET in a DirectFET™ ST package
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IRF6623
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    55 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    1.4 W
  • Ptot (最大)
    42 W
  • Qgd
    4 nC
  • QG (typ @4.5V)
    11 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    9.7 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    5.7 mΩ
  • RthJC (最大)
    3 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    20 V
  • VGS(th) 範囲
    1.4 V～2.2 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET (S)
  • マイクロステンシル
    IRF66ST-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.81
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRF6623TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET (S)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MX
ウェハ製造国
MY,TW
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET (S)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX
ウェハ製造国
MY,TW
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • High-current rating
  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic (1-2 nH) pkg inductance
  • 100% lead-free (No RoHS exemption)

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • High current carrying capability
  • Optimum thermal performance
  • Compact form factor
  • High efficiency
  • Environmentally friendly

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ