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生産終了
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RoHS準拠

IRF60B217

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60V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ

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IRF60B217
IRF60B217
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    60 A
  • Ptot max
    83 W
  • Qgd
    14 nC
  • QG (typ @10V)
    44 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    9 mΩ
  • RthJC max
    175 K/W, 1.8 K/W
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.52
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRF60B217
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High-current carrying capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Increased power density
  • Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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