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IRF60B217
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IRF60B217

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60V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
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IRF60B217
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    60 A
  • Ptot (最大)
    83 W
  • Qgd
    14 nC
  • QG (typ @10V)
    44 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    9 mΩ
  • RthJC (最大)
    175 K/W, 1.8 K/W
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.7 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.52
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRF60B217
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High-current carrying capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Increased power density
  • Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ