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IRF5Y3315CMSCV

データシート

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IRF5Y3315CMSCV
IRF5Y3315CMSCV
データシート

Product details

  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    85 mΩ
  • VBRDSS min
    150 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    High Reliability MOSFETs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製哝ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ M-TO257-3
パッケージ坝 N/A
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ M-TO257-3
パッケージ坝 -
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRF5Y3315CMSCV is a high reliability, 150V, single, N-channel MOSFET in a TO-257AA package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications. It has TXV level screening and is reliable for defense applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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