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IRF460

データシート
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IRF460
IRF460
データシート

Product details

  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    21 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    270 mΩ
  • VBRDSS min
    500 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-204AE
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRF460EWSA1
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO204-3
パッケージ坝 TO-204AA (TO-3)
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO204-3
パッケージ坝 TO-204AA (TO-3)
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRF460 is a high reliability, 500V, single, N-channel MOSFET in a TO-204AE package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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