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生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

IRF40DM229

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40V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MF package

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Product details

  • ID (@25°C) max
    159 A
  • IDpuls max
    636 A
  • Ptot max
    83 W
  • Qgd
    39 nC
  • QG (typ @10V)
    107 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.85 mΩ
  • RthJA max
    45 K/W
  • RthJC max
    1.5 K/W
  • Rth
    1.5 K/W
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    DirectFET (M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MF-25
  • 予算価格€/ 1k
    0.89
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRF40DM229
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DirectFET (M)
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DirectFET (M)
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.

機能

  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic (1-2 nH) inductance package
  • 100% lead-free (No ROHS exemption)
  • Silicon optimized for applications switching below <100KHz
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for broadest availability from distribution partners

利点

  • High power density
  • Low profile design
  • High efficiency
  • Environmentally friendly
  • High performance in low frequency applications
  • Industry standard qualification level
  • Wide availability from distribution partners

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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