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IRF40B207
生産終了
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IRF40B207

生産終了
40V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package
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IRF40B207
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    95 A
  • Ptot (最大)
    83 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.5 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.8 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.9 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.33
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRF40B207
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
IL
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
IL
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.

特長

  • High-currentrating
  • Product qual. acc. to JEDEC standard
  • Silicon optimized for switching <100 kHz
  • Softer body-diode vs prev silicon gen
  • Industry std through-hole power package
  • Broadest availability at distr partners

利点

  • High current carrying capability
  • Reliable, industry-tested products.
  • High performance, low-frequency
  • Increased power density
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • Multi-vendor compatibility

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ