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IRF3710S

IR MOSFET 100 V in a D²PAK package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRF3710S
IRF3710S
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    57 A
  • Ptot max
    3.8 W
  • Qgd
    28 nC
  • QG (typ @10V)
    86.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    23 mΩ
  • RthJC max
    0.75 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.53
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRF3710STRLPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS , lighting , load switches as well as battery powered applications.

利点

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Industry standard surface-mount power package
  • High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)
  • Capable of being wave-soldered

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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