IRF3709S

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
データシート

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IRF3709S
IRF3709S
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    90 A
  • IDpuls max
    360 A
  • Ptot max
    120 W
  • Qgd
    9.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    27 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    9 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    10.5 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.04 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    2 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • ピン数
    3 Pins
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Fully Avalanche Rated
  • 175°C Operating Temperature

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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