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生産終了
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RoHS準拠

IRF3610S

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100V Single N-Channel Power MOSFET in a D2-Pak package
データシート
パッケージ

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IRF3610S
IRF3610S
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    103 A
  • Ptot max
    333 W
  • Qgd
    42 nC
  • QG (typ @10V)
    100 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11.6 mΩ
  • RthJC max
    0.5 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    1.14
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
OPN
IRF3610STRLPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard surface-mount power
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High current carrying capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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