新規設計は非推奨
RoHS準拠

IRF1407

75V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRF1407
IRF1407
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    130 A
  • Ptot max
    330 W
  • Qgd
    54 nC
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    7.8 mΩ
  • RthJC max
    0.45 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    75 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRF1407PBF
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification
  • High performance in low frequency applications
  • Standard pin-out allows for drop-in replacement
  • High current capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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