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IRF135B203
生産終了
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IRF135B203

生産終了
135V Single N-Channel IRMOSFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
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IRF135B203
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    129 A
  • Ptot (最大)
    441 W
  • Qgd
    43 nC
  • QG (typ @10V)
    180 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.4 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.34 K/W
  • VDS (最大)
    135 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    1.22
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRF135B203
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design. The optimized gate drive options enables designers the flexibility of selecting super, logic or normal level drives.

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard through-hole power
  • High-current carrying capability package

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • Increased current carrying capability
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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