IRF1010E
新規設計非推奨
RoHS対応

IRF1010E

60V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
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IRF1010E
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    84 A
  • Ptot (最大)
    170 W
  • Qgd
    29.3 nC
  • QG (typ @10V)
    86.6 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    12 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.9 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.44
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRF1010EPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
CN,TW,US
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
CN,TW,US
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The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard surface-mount power package
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High current carrying capability

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ