IR25607S
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IR25607S

600 V high-side and low-side gate driver IC with shutdown
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IR25607S
IR25607S
個.
データシート

製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.5 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    94 ns
  • 伝搬遅延オン
    120 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Source)
    2.5 A
  • 出力電流 (Sink)
    2.5 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
推奨
OPN
IR25607STRPBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
SOIC 16W
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SOIC 16W
パッケージ名 -
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
600 V High and Low Side Driver IC with typical 2.5 A source and 2.5 A sink currents in 16 Lead SOICWB package for IGBTs and MOSFETs.

特長

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Integ. 600 V half-bridge driver
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervolt. lockout for both channel
  • 3.3 V logic compatible
  • Sep. logic supply: 3.3 to 20 V
  • Logic & power ground +/- 5 V offset
  • CMOS Schmitt-triggered inputs
  • C-by-c edge-trigg. shutdown logic
  • Matched prop. delay for both chan.

図

Circuit_Diagramm_IR25607S
Circuit_Diagramm_IR25607S
Circuit_Diagramm_IR25607S Circuit_Diagramm_IR25607S Circuit_Diagramm_IR25607S
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ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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