IR2118S
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IR2118S

600 V single high-side gate driver IC with single input
データシート
パッケージ
複数のOPNを利用可能
個.

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IR2118S
IR2118S
個.
データシート


製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • 伝搬遅延オフ
    105 ns
  • 伝搬遅延オン
    125 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Source)
    0.25 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.5 A
  • 絶縁方式
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V

推奨
OPN
IR2118STRPBF IR2118SPBF
製品ステータス active discontinued
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
SOIC 8N
パッケージ名 N/A N/A
梱包サイズ 2500 3800
梱包形態 TAPE & REEL TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 2 2
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
組立国
TH
TH
ウェハ製造国
TW,US
TW,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり
代替品を表示

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
個.
在庫あり

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
梱包サイズ 3800
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
代替品を表示
600 V High Side Driver IC with typical 0.25 A source and 0.5 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.

特長

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervoltage lockout
  • CMOS Schmitt-triggered inputs
  • Out. out of phase with in. (IR2118)
  • Or in phase with input (IR2117 )

利点

  • Bootstrap operation removes the need for an isolated high-side supply: smaller PCB area and lower BOM
  • Inverting input suits active-low control signals without extra logic
  • Easy-to-use, straightforward to design in
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ