IR2118S
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IR2118S

600 V single high-side gate driver IC with single input
データシート
パッケージ
複数のOPNを利用可能
個.

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IR2118S
IR2118S
個.
データシート

製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • 伝搬遅延オフ
    105 ns
  • 伝搬遅延オン
    125 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.5 A
  • 出力電流 (Source)
    0.25 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
推奨
OPN
IR2118STRPBF IR2118SPBF
製品ステータス active not for new design
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
SOIC 8N
パッケージ名 N/A N/A
梱包サイズ 2500 3800
梱包形態 TAPE & REEL TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 2 2
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
梱包サイズ 3800
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
600 V High Side Driver IC with typical 0.25 A source and 0.5 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.

特長

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervoltage lockout
  • CMOS Schmitt-triggered inputs
  • Out. out of phase with in. (IR2118)
  • Or in phase with input (IR2117 )

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ