Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IR2010S

200 V high-side and low-side gate driver IC with shutdown
複数のパッケージが利用可能
EA.

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製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    65 ns
  • 伝搬遅延オン
    95 ns
  • 入力 Vcc
    10 V to 20 V
  • 出力電流 (Sink)
    3 A
  • 出力電流 (Source)
    3 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    200 V
OPN
IR2010SPBF IR2010STRPBF
製品ステータス active and preferred active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A N/A
包装サイズ 1980 1000
包装形態 TUBE TAPE & REEL
水分レベル 3 3
モイスチャーパッキン DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 1980
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EiceDRIVER™ 200 V high and low side Gate Driver IC with typical 3 A source and 3 A sink currents in 16 Lead SOICWB package for IGBTs and MOSFETs . Also available in 14 Lead PDIP.

機能

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to 200 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervolt. lockout for both channel
  • CMOS Schmitt-triggered inputs
  • Shutdown input turns off both chan.
  • Matched prop. delay for both chan.
  • Outputs in phase with inputs

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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