Active and preferred
RoHS準拠

IQFH36N04NM6

OptiMOS™ 6 40 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with benchmark RDS(on) in the industry
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IQFH36N04NM6
IQFH36N04NM6
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    656 A
  • QG (typ @10V)
    206 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.36 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.3 V
  • パッケージ
    PQFN 8x6
  • 予算価格€/ 1k
    3.05
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IQFH36N04NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-12
パッケージ名 PQFN 8x6
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-12
パッケージ名 PQFN 8x6
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

機能

  • Cutting edge OptiMOS™ silicon technology
  • High chip/package ratio
  • Ultra high currents in compact footprint
  • Ultra-low package parasitics
  • Optimized lead-frame and Cu-Clip design
  • Footprint compatibility with PQFN 5x6
  • Compact layout with less paralleling

利点

  • Minimized conduction losses
  • High power capability
  • Superior device performance
  • Reduced voltage overshoot
  • Superior thermal performance
  • Re-use board for multiple power levels
  • Superior switching performance/EMI

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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