IQFH36N04NM6
Active and preferred
RoHS対応

IQFH36N04NM6

OptiMOS™ 6 40 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with benchmark RDS(on) in the industry
データシート
パッケージ

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IQFH36N04NM6
IQFH36N04NM6
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    656 A
  • QG (typ @10V)
    206 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.36 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.8 V～2.8 V
  • VGS(th)
    2.3 V
  • パッケージ
    PQFN 8x6
  • 予算価格€/ 1k
    3.05
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IQFH36N04NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-12
パッケージ名 PQFN 8x6
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-12
パッケージ名 PQFN 8x6
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

特長

  • Cutting edge OptiMOS™ silicon technology
  • High chip/package ratio
  • Ultra high currents in compact footprint
  • Ultra-low package parasitics
  • Optimized lead-frame and Cu-Clip design
  • Footprint compatibility with PQFN 5x6
  • Compact layout with less paralleling

利点

  • Minimized conduction losses
  • High power capability
  • Superior device performance
  • Reduced voltage overshoot
  • Superior thermal performance
  • Re-use board for multiple power levels
  • Superior switching performance/EMI
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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