IQE065N10NM5SC
アクティブ
RoHS対応

IQE065N10NM5SC

OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 100 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC package with industry leading RDS(on) and superior thermal performance
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IQE065N10NM5SC
IQE065N10NM5SC
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    85 A
  • ID (最大)
    85 A
  • IDpuls (最大)
    340 A
  • Ptot (最大)
    100 W
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • QG
    34 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    6.5 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    6.5 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.05
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Dual-Side Cooling
推奨
OPN
IQE065N10NM5SCATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-WHSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WHSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™5 100 V PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC: offering a flipped silicon die, which is positioned upside down inside of the components. This adjustment allows the source potential (instead of the drain potential) to be connected to the PCB over the thermal pad. Therefore, it offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities.

特長

  • Major reduction in RDS(on)30%
  • RthJCover current PQFN
  • Standard & Center Gate available
  • New, optimized layout possibilities

利点

  • Enabling highest power density
  • Superior thermal performance
  • Efficient layout for space use
  • Simplified MOSFET parallelization
  • Improved PCB losses
  • Reduced parasitics

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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