Active and preferred
RoHS準拠

IQE050N08NM5CGSC

OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 80 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC package with industry leading RDS(on) and superior thermal performance
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IQE050N08NM5CGSC
IQE050N08NM5CGSC
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    99 A
  • ID max
    99 A
  • IDpuls max
    396 A
  • Ptot max
    100 W
  • QG (typ @10V)
    35 nC
  • QG
    35 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5 mΩ
  • RDS (on) max
    5 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    0.95
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Center-Gate Dual-Side Cooling
推奨
OPN
IQE050N08NM5CGSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
OptiMOS™5 80 V PQFN 3.3x3.3 Source-Down: offering a flipped silicon die, which is positioned upside down inside of the components. This adjustment allows the source potential (instead of the drain potential) to be connected to the PCB over the thermal pad. Therefore, it offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities.

機能

  • Major reduction in RDS(on)30%
  • RthJCover current PQFN
  • Standard & Center Gate available
  • New, optimized layout possibilities

利点

  • Enabling highest power density
  • Superior thermal performance
  • Efficient layout for space use
  • Simplified MOSFET parallelization
  • Improved PCB losses
  • Reduced parasitics

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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