IQE046N08LM5SC
Active and preferred
RoHS対応

IQE046N08LM5SC

OptiMOS™ 5 power MOSFET 80 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC package

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IQE046N08LM5SC
IQE046N08LM5SC

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    99 A
  • IDpuls (最大)
    396 A
  • Ptot (最大)
    100 W
  • QG (typ @4.5V)
    19 nC
  • QG (typ @10V)
    38 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    5.9 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    1.1 V~2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.02
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Dual-Side Cooling
OPN
IQE046N08LM5SCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IQE046N08LM5SC is Infineon’s new best-in-class OptiMOS™ 5 power MOSFET 80 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooling (DSC) package, offering the industry’s lowest on-state resistance RDS(on) at 25˚C and superior thermal performance. The OptiMOS™ Source-Down is a revolutionary design with a flipped silicon die inside, which offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density and improved layout possibilities. Combined with the innovative dual-side cooling package, which can dissipate up to three times more power than the traditional overmolded package, IQE046N08LM5SC is targeted for high power density and performance SMPS products commonly found in telecom and data servers.

特長

  • Logic level allows lower Qrr
  • Reduced RDS(on) by up to 30%
  • Improved RthJCover PQFN
  • New, optimized layout possibilities

利点

  • Enabling highest power density
  • Superior thermal performance
  • Efficient layout for space use
  • Reduced PCB losses

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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