IQE013N04LM6CG
Active and preferred
RoHS対応

IQE013N04LM6CG

OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 40V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with industry leading RDS(on)
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IQE013N04LM6CG
IQE013N04LM6CG
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    205 A
  • IDpuls (最大)
    820 A
  • Ptot (最大)
    107 W
  • QG (typ @4.5V)
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    41 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.35 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.9 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    0.75
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Center-Gate
推奨
OPN
IQE013N04LM6CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
IQE013N04LM6CG, innovative OptiMOS™ power MOSFET Source-Down 40 V, 1.35mOhm, in a 3.3x3.3 PQFN Source-Down Center-Gate package. This best-in-class power MOSFET challenges the status quo in power density and form factor in the end application, minimize the internal restrictions of PCB area requirements, enabling an ergonomic design and optimizing the end user experience.

特長

  • RDS(on) reduced by up to 25%
  • Superior thermal performance in RthJC
  • Optimized layout possibilities
  • Standard and Center-Gate footprint

利点

  • High current capability
  • More efficient use of PCB area
  • Highest power density and performance
  • Center-Gate for MOSFET parallelization
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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