Active and preferred
RoHS準拠

IQE013N04LM6CG

OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 40V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with industry leading RDS(on)
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IQE013N04LM6CG
IQE013N04LM6CG
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    205 A
  • IDpuls max
    820 A
  • Ptot max
    107 W
  • QG (typ @10V)
    41 nC
  • QG (typ @4.5V)
    20 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.35 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.9 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    0.75
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Center-Gate
推奨
OPN
IQE013N04LM6CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
IQE013N04LM6CG, innovative OptiMOS™ power MOSFET Source-Down 40 V, 1.35mOhm, in a 3.3x3.3 PQFN Source-Down Center-Gate package. This best-in-class power MOSFET challenges the status quo in power density and form factor in the end application, minimize the internal restrictions of PCB area requirements, enabling an ergonomic design and optimizing the end user experience.

機能

  • RDS(on) reduced by up to 25%
  • Superior thermal performance in RthJC
  • Optimized layout possibilities
  • Standard and Center-Gate footprint

利点

  • High current capability
  • More efficient use of PCB area
  • Highest power density and performance
  • Center-Gate for MOSFET parallelization

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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