Active and preferred
RoHS準拠

IQE013N04LM6

OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 40V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading RDS(on)
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IQE013N04LM6
IQE013N04LM6
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    205 A
  • IDpuls max
    820 A
  • QG (typ @10V)
    41 nC
  • QG (typ @4.5V)
    20 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.35 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.9 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    0.75
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IQE013N04LM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
IQE013N04LM6 best-in-class power MOSFET Source-Down, 1.35mOhm, 40 V in a 3.3x3.3 PQFN package, minimizing the internal restrictions of PCB area requirements, enabling a more ergonomic design in power tool designs. Moving the inverter from the handle into the head minimizes the volume of the power tool motor housing while simultaneously keeping the torque of the tool at a reasonably high level for quick and easy action.

機能

  • RDS(on) – up to 25 percent
  • Superior thermal performance in RthJC
  • Optimized layout possibilities
  • Standard and Center-Gate footprint

利点

  • High current capability
  • More efficient use of PCB area
  • Highest power density and performance
  • Center-Gate for MOSFET parallelization

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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