IQE008N03LM5SC
Active and preferred
RoHS対応

IQE008N03LM5SC

OptiMOS™ 5 MOSFET 30V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IQE008N03LM5SC
IQE008N03LM5SC
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    252 A
  • IDpuls (最大)
    1008 A
  • QG (typ @4.5V)
    30 nC
  • QG (typ @10V)
    64 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.85 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1 mΩ
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    0.87
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Dual-Side Cooling
推奨
OPN
IQE008N03LM5SCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WHSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WHSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
梱包サイズ 6000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The IQE008N03LM5SC is part of the Source-Down family with RDS(on) of 0.85 mOhm. The Source-Down technology introduces a flipped silicon die, which is positioned upside down inside the components. It offers increased thermal capability, improved power density and layout possibilities. The dual-side cooling package dissipates three times more power than the overmolded package, and is available in Standard and Center-Gate footprints.

特長

  • Major reduction in RDS(on) by up to 30%
  • Improved RthJC compared to PQFN packages
  • Standard & Center-gate footprints
  • New, optimized layout possibilities

利点

  • High power density and performance
  • Superior thermal performance
  • Efficient layout for space use
  • Simplified MOSFET parallelization
  • Improved PCB losses
  • Reduced parasitics

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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