IQE008N03LM5CG
Active and preferred
RoHS対応

IQE008N03LM5CG

OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading RDS(on) and superior thermal performance.
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在庫あり

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IQE008N03LM5CG
IQE008N03LM5CG
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    253 A
  • QG (typ @4.5V)
    30 nC
  • QG (typ @10V)
    64 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.85 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.4 mΩ
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V~2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    0.78
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Center-Gate
OPN
IQE008N03LM5CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The OptiMOS™5 30V PQFN 3.3x3.3 Source-Down features 30 V and low RDS(on) of 0.85 mOhm, offering a flipped silicon die, which is positioned upside down inside of the component. This allows the source potential (instead of the drain potential) to be connected to the PCB over the thermal pad. Therefore, it offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities.

特長

  • Major reduction in RDS(on)30%
  • RthJCover current PQFN
  • Standard & Center Gate available
  • New, optimized layout possibilities

利点

  • Enabling highest power density
  • Superior thermal performance
  • Efficient layout for space use
  • Simplified MOSFET parallelization
  • Improved PCB losses
  • Reduced parasitics

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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