アクティブ
RoHS準拠
鉛フリー

IPZA65R029CFD7

650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode
in TO-247 4-pin package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPZA65R029CFD7
IPZA65R029CFD7
EA.
データシート

Product details

  • ID max
    69 A
  • ID (@25°C) max
    69 A
  • IDpuls max
    304 A
  • Ptot max
    305 W
  • QG
    145 nC
  • QG (typ @10V)
    145 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    25 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 予算価格€/ 1k
    5.91
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fast recovery diode
推奨
OPN
IPZA65R029CFD7XKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET IPZA65R029CFD7 in TO-247 4-pin package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition.  As a successor to the CFD2 SJ MOSFET family, it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior, and reduced reverse recovery charge enabling highest efficiency and power density as well as additional 50V breakdown voltage.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Kelvin source
  • Kelvin source
  • increased creepage

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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