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IPW65R420CFD
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IPW65R420CFD

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IPW65R420CFD
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製品仕様情報

  • ID (最大)
    8.7 A
  • ID (@25°C) (最大)
    8.7 A
  • IDpuls (最大)
    27 A
  • Ptot (最大)
    83.3 W
  • QG
    32 nC
  • QG (typ @10V)
    32 nC
  • RDS (on) (最大)
    420 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    420 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.5 K/W
  • Rth
    1.5 K/W
  • VDS (最大)
    650 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO247, TO247
  • 予算価格€/ 1k
    0.96
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    fast recovery diode
OPN
IPW65R420CFDFKSA2
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7 650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.

特長

  • 650V technology with integrated fast body diode
  • Limited voltage overshoot during hard commutation
  • Significant Qg reduction compared to 600V CFD technology
  • Tighter RDS(on) max to RDS(on) typ window
  • Easy to design-in
  • Lower price compared to 600V CFD technology

利点

  • Low switching losses due to low Qrr at repetitive commutation on body diode
  • Self limiting di/dt and dv/dt
  • Low Qoss
  • Reduced turn on and turn of delay times
  • Outstanding CoolMOS™ quality

アプリケーション

無停電電源装置 (UPS)
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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