IPP65R420CFD
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IPP65R420CFD

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パッケージ
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在庫あり

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IPP65R420CFD
IPP65R420CFD
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    8.7 A
  • ID (@25°C) (最大)
    8.7 A
  • IDpuls (最大)
    27 A
  • Ptot (最大)
    83.3 W
  • QG
    32 nC
  • QG (typ @10V)
    32 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    420 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    420 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.5 K/W
  • Rth
    1.5 K/W
  • VDS (最大)
    650 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO220, TO220
  • 予算価格€/ 1k
    0.68
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPP65R420CFDXKSA2
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7 650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.

特長

  • 650 V with integrated fast body diode
  • Low voltage overshoot in hard switching
  • Significant Q G reduction
  • Tighter R DS(on)max to R DS(on)typ window
  • Easy to design-in

利点

  • Low switching losses due to low Q rr
  • Self limiting di/dt and dv/dt
  • Low Qoss
  • Reduced turn on and turn of delay times
  • Outstanding CoolMOS™ quality
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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