新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IPW65R110CFD7

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies
データシート
パッケージ

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IPW65R110CFD7
IPW65R110CFD7
データシート

Product details

  • ID max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • IDpuls max
    82 A
  • Ptot max
    114 W
  • QG
    41 nC
  • QG (typ @10V)
    41 nC
  • RDS (on) max
    110 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    110 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO247
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.9
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IPW65R110CFD7XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET IPW65R110CFD7 in TO-247 package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition.  As a successor to the CFD2 SJ MOSFET family, it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior, and reduced reverse recovery charge enabling highest efficiency and power density as well as additional 50V breakdown voltage.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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