アクティブ
RoHS準拠
鉛フリー

IPW65R080CFDA

650V, N-Ch, 80 mΩ max, Automotive MOSFET, PG-TO-247-3, CoolMOS™ CFDA
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPW65R080CFDA
IPW65R080CFDA
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    43.3 A
  • IDpuls max
    137 A
  • Ptot max
    391 W
  • QG (typ @10V) max
    161 nC
  • QG
    161 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    80 mΩ
  • RDS (on) max
    80 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.32 K/W
  • Rth
    0.32 K/W
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th) max
    4.5 V
  • VGS(th) min
    3.5 V
  • トポロジー
    Full Bridge
  • パッケージ
    TO247
  • 予算価格€/ 1k
    3.44
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolMOS™ CFDA
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IPW65R080CFDAFKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.

機能

  • CoolMOS™ 3 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • automotive qualification
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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