IPW60R120P7
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IPW60R120P7

Optimized superjunction MOSFETs merging high energy efficiency with ease-of-use
データシート
パッケージ

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IPW60R120P7
IPW60R120P7
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    29 A
  • ID (@25°C) (最大)
    29 A
  • IDpuls (最大)
    78 A
  • Ptot (最大)
    95 W
  • Qgd
    11 nC
  • QG (typ @10V)
    36 nC
  • QG
    36 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    120 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    120 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.31 K/W
  • Rth
    1.31 K/W
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    TO247
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.55
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Price-performance
推奨
OPN
IPW60R120P7XKSA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

特長

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • integrated gate resistor
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • high efficiency @ hard switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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