Active and preferred
RoHS準拠

IPTC017N10NM5LF2

OptiMOS™ 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 1.7 mΩ, 351 A in TOLT package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPTC017N10NM5LF2
IPTC017N10NM5LF2
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    321 A
  • QG (typ @10V)
    165 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.7 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • パッケージ
    TOLT (HDSOP-16)
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
推奨
OPN
IPTC017N10NM5LF2ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
IPTC017N10NM5LF2 is Infineon’s best-in-class OptiMOS™ 5 Linear FET 2 100 V in the TO-Leaded top-side package. Offering the industry’s lowest RDS(on) and wide SOA at 25˚C.  With the combination of OptiMOS™ 5 Linear FET 2 technology and TOLT package, the IPTC017N10NM5LF2 is designed to provide highest power density, for inrush current protection applications such as hot-swap, e-fuse, and within battery protection in Battery management systems (BMS).

機能

  • Wide safe operating area (SOA)
  • Low RDS(on)
  • Lower IGSS compared to Linear FET
  • Optimized transfer characteristic

利点

  • Rugged linear mode operation
  • Low condition losses
  • Improved gate driver compatibility
  • Better current sharing

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }