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IPTC012N06NM5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 60 V in TOLT for excellent thermal performance
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPTC012N06NM5
IPTC012N06NM5
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    311 A
  • IDpuls max
    1244 A
  • Ptot max
    214 W
  • QG (typ @10V)
    106 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.2 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • バッテリー電圧
    24-66 V
  • パッケージ
    TOLT (HDSOP-16)
  • 予算価格€/ 1k
    2.15
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPTC012N06NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
IPTC012N06NM5 is part of the OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT family: the TO-Leaded top-side cooling package for superior thermal performance. This innovative package combined with the key features of OptiMOS™ 5 technology allows best-in-class products in 60 V as well as high current rating >300 A for high-power density designs. With top-side cooling setup, the drain is exposed at the surface of the package enabling 95 percent of the heat to be dissipated directly to the heatsink achieving 20 percent better RthJA and 50 percent improved RthJC compared to TOLL package. With bottom-side cooling packages like TOLL or D2PAK, the heat is dissipated via the PCB to the heatsink causing high power losses. OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT targets power tools, light electric vehicles and battery management systems.

機能

  • Low RDS(on)
  • High current rating >300 A
  • Top-side cooling
  • Negative stand-off
  • Sn-free exposed pad
0

利点

  • Efficiency for Extended Battery Life
  • High power density
  • Superior thermal performance
  • Saving in cooling system
  • Minimized thermal resistance to heatsink

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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