IPT65R155CFD7
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RoHS対応
鉛フリー

IPT65R155CFD7

The 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode is the perfect choice for resonant high power topologies
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IPT65R155CFD7
IPT65R155CFD7
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製品仕様情報

  • IDpuls (最大)
    55 A
  • QG
    27 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    155 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    155 mΩ
  • VDS (最大)
    650 V
  • パッケージ
    TOLL
  • 予算価格€/ 1k
    1.25
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fast recovery diode
推奨
OPN
IPT65R155CFD7XTMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon’s 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET IPT65R155CFD7 in a TOLL package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition.  As a successor to the CFD2 SJ MOSFET family, it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior, and reduced reverse recovery charge enabling highest efficiency and power density as well as additional 50 V breakdown voltage.

特長

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Enables better control
  • Kelvin source

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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