Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IPT65R060CFD7

The 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode is the perfect choice for resonant high power topologies
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPT65R060CFD7
IPT65R060CFD7
EA.
データシート

Product details

  • IDpuls max
    139 A
  • QG
    65 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    52 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    TOLL
  • 予算価格€/ 1k
    2.73
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fast recovery diode
推奨
OPN
IPT65R060CFD7XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET IPT65R060CFD7 in a TOLL package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition.  As a successor to the CFD2 SJ MOSFET family, it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior, and reduced reverse recovery charge enabling highest efficiency and power density as well as additional 50 V breakdown voltage.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Enables better control
  • Kelvin source

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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