IPT60T065S7
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IPT60T065S7

600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET with integrated temperature sensor in TOLL (PG-HSOF-8) for an increased junction temperature sensing accuracy
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IPT60T065S7
IPT60T065S7
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製品仕様情報

  • IDpuls (最大)
    123 A
  • QG
    51 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    65 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    65 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • パッケージ
    TOLL
  • 予算価格€/ 1k
    2.1
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Slow switching
推奨
OPN
IPT60T065S7XTMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The CoolMOS™ S7T with embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while enabling easy implementation. The device is optimized for low-frequency and high-current switching applications. It is an ideal fit for solid-state relay, circuit breaker designs, and line rectification in SMPS. The  temperature sensor enhances CoolMOS™ S7 features, allowing the best possible utilization of the power transistor.

特長

  • Optimized price performance
  • Tailored for low-frequency switching
  • Reduced parasitic source inductance
  • Seamless diagnostics
  • Accurate and fast monitoring over time
  • High current capability
  • High power dissipation
  • Enhanced protection
  • Optimized thermal device utilization

利点

  • Minimized conduction losses
  • Increased system performances
  • Allow more compact design over EMR
  • Lower TCO over prolonged time
  • Enabling of higher power density designs
  • Reduction of external sensing elements
  • Best utilization of power transistor
  • 40% more accurate than discrete sensor
  • 4x faster than discrete sensor solution

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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