IPT60R125G7
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IPT60R125G7

A new SMD package using Kelvin source concept

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IPT60R125G7
IPT60R125G7

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • ID (最大)
    20 A
  • IDpuls (最大)
    54 A
  • Ptot (最大)
    120 W
  • Qgd
    10 nC
  • QG
    27 nC
  • QG (typ @10V)
    27 nC
  • RDS (on) (最大)
    125 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    125 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.04 K/W
  • Rth
    1.04 K/W
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V~4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    TOLL
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.49
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    highest performance
OPN
IPT60R125G7XTMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
For the first time the CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V CoolMOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.

特長

  • Best-in-class FOM R DS(on) x E oss
  • Best-in-class R DS(on) x Q G
  • Inbuilt Kelvin source pin
  • Low parasitic source inductance (~1nH)
  • MSL1 compliant, total Pb-free
  • Enables improved thermal performance R th

利点

  • Higher efficiency by C7 Gold technology
  • Fast switching due to low inductance SMD
  • Fast switching due to Kelvin source pin
  • Low R DS(on)  in small footprint
  • Improved power density due to SMD
  • Assembly cost reduction by using SMD
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ