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RoHS準拠
鉛フリー

IPT60R040S7

Infineon’s best price performance 600V CoolMOS™ S7 Superjunction MOSFET for low frequency switching applications in TO-Leadless (TOLL) package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IPT60R040S7
IPT60R040S7
EA.
データシート

Product details

  • ID max
    13 A
  • IDpuls max
    207 A
  • Ptot max
    245 W
  • QG (typ @10V)
    83 nC
  • QG
    83 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    36 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TOLL
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    2.78
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Slow switching
推奨
OPN
IPT60R040S7XTMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s 600V CoolMOS™ S7 Superjunction MOSFET (IPT60R040S7) in TO-Leadless (Pb-free) package features a design optimized for low conduction performance. The IPT60R040S7 boasts the best RDS(on) x price for low frequency switching applications, like active bridge rectification, inverter stages, in-rush relays, PLCs, HV DC lines, power solid state relay (SSR) and solid state circuit breakers (SSCB). This 600V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET comes with enhanced energy efficiency and lower BOM expenses.

機能

  • Low RDS(on) in SMD packages
  • Optimized for conduction performance
  • Improved thermal resistance
  • High pulse current capability
  • Kelvin-source for high current switching
  • TOLL MSL1 compliant, easy inspection

利点

  • Minimal conduction losses
  • Increase energy efficiency
  • More compact and easier designs
  • Eliminates or reduces heat sinks
  • Lower TCO or BOM Cost

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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