Active and preferred
RoHS準拠

IPT026N12NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLL package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPT026N12NM6
IPT026N12NM6
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    224 A
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.6 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPT026N12NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
This is a normal level 120 V MOSFET in TO-Leadless packaging with 2.6 mOhm on-resistance. Compared to OptiMOS™ 3, the technology features: up to 58% better RDS(on), up to 66% better FOMg, up to 90% better Qrr and up to 35% better FOMoss. IPT026N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.

機能

  • Very low reverse recovery charge
  • Excellent gate charge x RDS(on)
  • High avalanche energy rating
  • 175°C junction temperature rating
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant & halogen-free

利点

  • High efficiency
  • Increased power density
  • Robust, reliable performance
  • Increased operating margin
  • Environmentally friendly

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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