IPT026N12NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPT026N12NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLL package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPT026N12NM6
IPT026N12NM6
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    224 A
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.6 mΩ
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) 範囲
    2.6 V～3.6 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPT026N12NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
個.
在庫あり
This is a normal level 120 V MOSFET in TO-Leadless packaging with 2.6 mOhm on-resistance. Compared to OptiMOS™ 3, the technology features: up to 58% better RDS(on), up to 66% better FOMg, up to 90% better Qrr and up to 35% better FOMoss. IPT026N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.

特長

  • Very low reverse recovery charge
  • Excellent gate charge x RDS(on)
  • High avalanche energy rating
  • 175°C junction temperature rating
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant & halogen-free

利点

  • High efficiency
  • Increased power density
  • Robust, reliable performance
  • Increased operating margin
  • Environmentally friendly
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ