これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。 これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。
代替品を表示
IPS60R360PFD7S
生産終了
生産終了
RoHS対応

IPS60R360PFD7S

生産終了
600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in TO-251 IPAK short-lead package
データシート
代替品を表示

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPS60R360PFD7S
IPS60R360PFD7S
代替品を表示
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    10 A
  • ID (最大)
    10 A
  • IDpuls (最大)
    24 A
  • Ptot (最大)
    43 W
  • QG (typ @10V)
    12.7 nC
  • QG
    12.7 nC
  • RDS (on) (最大)
    360 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    360 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    IPAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    price/performance
OPN
IPS60R360PFD7SAKMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ PG-TO251-3
パッケージ名 IPAK
梱包サイズ 1500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
代替品を表示

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ PG-TO251-3
パッケージ名 IPAK
梱包サイズ 1500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET (IPS60R360PFD7S) completements the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications. The IPS60R360PFD7S in a TO-251 IPAK SL package features RDS(on) of 360mOhm resulting in low switching losses. The products come with a fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced bill-of-material (BOM) for the customer. This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs. The products primarily address ultrahigh density chargers, adapters and low-power motor drives. The 600V CoolMOS™ PFD7 offers improved light- and full-load efficiency over CoolMOS™ P7 and CE MOSFET technologies resulting in  an increase in power density by 1.8W/inch3.

特長

  • Very low FOM RDS(on) x Eoss
  • Integrated robust fast body diode
  • Up to 2kV ESD protection
  • Wide range of RDS(on) values
  • Excellent commutation ruggedness
  • Low EMI
  • Broad package portfolio

利点

  • Minimized switching losses
  • Power density improvement compared to latest CoolMOS™ charger technology
  • Increased efficiency and improved thermal behavior compared to CoolMOS™ CE technology for low power drives applications
  • BOM cost reduction and easy manufacturing
  • Robustness and reliability
  • Easy to select the right parts for design fine-tuning

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }