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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

IPP60R210CFD7

生産終了
Infineon’s answer to resonant high power topologies
データシート
パッケージ
代替品

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IPP60R210CFD7
IPP60R210CFD7
代替品
データシート

製品仕様情報

  • ID max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • IDpuls max
    42 A
  • Ptot max
    64 W
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • QG
    23 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    210 mΩ
  • RDS (on) max
    210 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO220
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.92
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    fast recovery diode
OPN
IPP60R210CFD7XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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