アクティブで優先
RoHS準拠
鉛フリー

IPP60R180CM8

IPP60R180CM8 600 V CoolMOS™ 8 power transistor
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPP60R180CM8
IPP60R180CM8
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    16 A
  • IDpuls max
    48 A
  • QG
    17 nC
  • QG (typ @10V)
    17 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    180 mΩ
  • RDS (on) max
    180 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4.2 V
  • Package
    TO220
  • Budgetary Price €/1k
    0.71
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Mounting
    THT
  • Polarity
    N
推奨
OPN
IPP60R180CM8XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS™ 7 MOSFET family including P7, S7, CFD7, C7 (G7) and PFD7.It comes with reduced gate charge (Qg) of 20% over CFD7, reduction in turn-off losses (Eoss) is further improved by 12% over CFD7, reverse recovery charge (Qrr) is 3% lower compared to the CFD7, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

機能

  • Best-in-class RDS(on)*A
  • Significant reduction of losses
  • Excellent commutation ruggedness
  • Integrated fast body diode
  • .XT interconnection
  • ESD protection

利点

  • Increased power density
  • Ease of use and fast design-in
  • Low ringing tendency
  • Simplified thermal management
  • Simplified portfolio

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }