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IPP60R065S7

Infineon’s best price performance Superjunction MOSFET for low frequency switching applications in TO-220 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPP60R065S7
IPP60R065S7
EA.
データシート

Product details

  • IDpuls max
    126 A
  • QG
    51 nC
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    59 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO220
  • 予算価格€/ 1k
    1.82
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Slow switching
推奨
OPN
IPP60R065S7XKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
With a design optimized for low conduction losses, the 600V CoolMOS™ S7 Superjunction MOSFET (IPP60R065S7) in TO-220 features an optimal RDS(on) x price for low switching frequency applications, such as active bridge rectifiers, in-rush relays, PLCs , HV DC lines, power solid state relays and solid state circuit breakers. The 600V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET achieves higher energy efficiency and reduces BOM expenses.

機能

  • Optimized for conduction performance
  • Improved thermal resistance
  • High pulse current capability

利点

  • Minimal conduction losses
  • Increase energy efficiency
  • More compact and easier designs
  • Eliminates or reduces heat sinks
  • Lower TCO or BOM Cost

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }