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IPP60R040S7
生産終了
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IPP60R040S7

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Infineon’s best price performance Superjunction MOSFET for low frequency switching applications in TO-220 package
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IPP60R040S7
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製品仕様情報

  • IDpuls (最大)
    207 A
  • QG
    83 nC
  • QG (typ @10V)
    83 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    40 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    40 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO220
  • 予算価格€/ 1k
    2.63
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IPP60R040S7XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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With a design optimized for low conduction losses, the 600V CoolMOS™ S7 Superjunction MOSFET (IPP60R040S7) in TO-220 features an optimal RDS(on) x price for low switching frequency applications, such as active bridge rectifiers, in-rush relays, PLCs , HV DC lines, power solid state relays and solid-state circuit breakers. The 600V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET achieves higher energy efficiency and reduces BOM expenses.

特長

  • Optimized for conduction performance
  • Improved thermal resistance
  • High pulse current capability

利点

  • Minimal conduction losses
  • Increase energy efficiency
  • More compact and easier designs
  • Eliminates or reduces heat sinks
  • Lower TCO or BOM Cost
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ