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RoHS準拠

IPP051N15N5

データシート
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IPP051N15N5
IPP051N15N5
データシート

Product details

  • Ciss
    6000 pF
  • Coss
    1500 pF
  • ID (@25°C) max
    120 A
  • IDpuls max
    480 A
  • Ptot max
    300 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    80 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5.1 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.5 K/W
  • Rth
    0.5 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • パッケージ
    TO-220
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    2.03
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPP051N15N5AKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications. The products offer a breakthrough reduction in RDS(on) (up to 25 percent compared to the next best alternative in SuperSO8) and Q rr without compromising FOMgd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency.

機能

  • Firm FOMgd and FOMoss with lower RDS(on)
  • Lower output charge
  • Ultra-low reverse recovery charge
  • Increased commutation ruggedness
  • Higher switching frequency possible

利点

  • Reduced paralleling
  • Higher power density designs
  • More rugged products
  • System cost reduction
  • Improved EMI behavior

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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