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IPN70R900P7S
生産終了
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IPN70R900P7S

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Combining excellent performance and ease-of-use
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IPN70R900P7S
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    6 A
  • ID (最大)
    6 A
  • IDpuls (最大)
    12.8 A
  • Ptot (最大)
    6.5 W
  • Qgd
    2.6 nC
  • QG
    6.8 nC
  • QG (typ @10V)
    6.8 nC
  • RDS (on) (最大)
    900 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    900 mΩ
  • RthJA (最大)
    160 K/W
  • Special Features
    price/performance
  • VDS (最大)
    700 V
  • VGS(th) 範囲
    2.5 V～3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    SOT-223-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.17
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

OPN
IPN70R900P7SATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,DE
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,DE
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The 700 V CoolMOS™ P7 N-channel superjunction (SJ) MOSFET series has been developed to serve the forthcoming trends in flyback topologies. The technology addresses the low-power SMPS market, mainly focusing on mobile phone chargers and notebook adapters, but suitable for power supplies used within lighting applications, home entertainment (TV, game consoles, or audio), as well as auxiliary power supplies.

特長

  • Enabling lower MOSFET chip temperature
  • Leading to higher e iciency comparedto previous technologies
  • Allowing improved form factors and slim designs
  • Drop-in replacement for DPAK atcompetitive cost
  • Space savings in designs with lowpower dissipation; enabling smaller form factors
  • Comparable thermal behavior to DPAK
  • Attractive price position for high performance technology

アプリケーション

送配電
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ