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生産終了
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IPN70R900P7S

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Combining excellent performance and ease-of-use
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IPN70R900P7S
IPN70R900P7S
代替品
データシート

Product details

  • ID max
    6 A
  • ID (@25°C) max
    6 A
  • IDpuls max
    12.8 A
  • Ptot max
    6.5 W
  • Qgd
    2.6 nC
  • QG
    6.8 nC
  • QG (typ @10V)
    6.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    900 mΩ
  • RDS (on) max
    900 mΩ
  • RthJA max
    160 K/W
  • VDS max
    700 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    SOT-223-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.17
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    price/performance
OPN
IPN70R900P7SATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 700 V CoolMOS™ P7 N-channel superjunction (SJ) MOSFET series has been developed to serve the forthcoming trends in flyback topologies. The technology addresses the low-power SMPS market, mainly focusing on mobile phone chargers and notebook adapters, but suitable for power supplies used within lighting applications, home entertainment (TV, game consoles, or audio), as well as auxiliary power supplies.

機能

  • Enabling lower MOSFET chip temperature
  • Leading to higher e iciency comparedto previous technologies
  • Allowing improved form factors and slim designs
  • Drop-in replacement for DPAK atcompetitive cost
  • Space savings in designs with lowpower dissipation; enabling smaller form factors
  • Comparable thermal behavior to DPAK
  • Attractive price position for high performance technology

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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