Active and preferred
RoHS準拠

IPN70R2K0P7S

Combining excellent performance and ease-of-use
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPN70R2K0P7S
IPN70R2K0P7S
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    130 pF
  • Coss
    2 pF
  • ID max
    3 A
  • ID (@25°C) max
    3 A
  • IDpuls max
    5.7 A
  • Ptot max
    6 W
  • Qgd
    1.5 nC
  • QG
    3.8 nC
  • QG (typ @10V)
    3.8 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    1640 mΩ
  • RthJA max
    160 K/W
  • VDS max
    700 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    SOT-223-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.14
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Price-performance
推奨
OPN
IPN70R2K0P7SATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 700 V CoolMOS™ P7 N-channel superjunction (SJ) MOSFET series has been developed to serve the forthcoming trends in flyback topologies. The technology addresses the low-power SMPS market, mainly focusing on mobile phone chargers and notebook adapters, but suitable for power supplies used within lighting applications, home entertainment (TV, game consoles, or audio), as well as auxiliary power supplies.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • integrated gate resistor
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • high efficiency @ hard switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Low cost DPak alternative

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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