IPLK60R600PFD7
アクティブ
RoHS対応

IPLK60R600PFD7

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in ThinPAK 5x6 package
データシート
パッケージ

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IPLK60R600PFD7
IPLK60R600PFD7
データシート


製品仕様情報

  • ID (最大)
    7 A
  • ID (@25°C) (最大)
    7 A
  • IDpuls (最大)
    14 A
  • Ptot (最大)
    45 W
  • QG (typ @10V)
    8.5 nC
  • QG
    8.5 nC
  • RDS (on) (最大)
    600 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    600 mΩ
  • Special Features
    price/performance
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Thin-PAK 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.41
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPLK60R600PFD7ATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Thin-PAK 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Thin-PAK 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,DE
The 600V CoolMOS™ PFD7 high-voltage MOSFET series sets a new benchmark in 600V superjunction (SJ) technologies, shaped by Infineon’s experience of more than 20 years in pioneering in superjunction technology innovation. The series combines best-in-class performance with state-of-the-art ease of use and features an integrated fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced BOM for the customer.

特長

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Enables better control
  • Kelvin source
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ