Active and preferred
RoHS準拠

IPL60R285P7

Optimized superjunction MOSFETs merging high energy efficiency with ease-of-use
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPL60R285P7
IPL60R285P7
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    761 pF
  • Coss
    14 pF
  • ID max
    13 A
  • ID (@25°C) max
    13 A
  • IDpuls max
    36 A
  • Ptot max
    59 W
  • Qgd
    6 nC
  • QG (typ @10V)
    18 nC
  • QG
    18 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    218 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    2.1 K/W
  • Rth
    2.1 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    Thin-PAK 8x8
  • ピン数
    5 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.76
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Price-performance
推奨
OPN
IPL60R285P7AUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-VSON-4
パッケージ名 Thin-PAK 8x8
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2a
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-VSON-4
パッケージ名 Thin-PAK 8x8
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2a
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • integrated gate resistor
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • high efficiency @ hard switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Enables better control
  • Kelvin source

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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